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馮文然，男，1978年生，理學博士，教授，碩士生導師。2001年畢業于河北工業大學材料科學與工程專業，獲學士學位；2004年畢業于河北工業大學材料學專業，獲碩士學位；2007年畢業于中國科學院物理研究所等離子體物理專業，獲理學博士學位。同年，加入北京石油化工學院。

現任北京石油化工學院新材料與化工學院材料工程系副主任，材料科學與工程專業責任教授，材料科學與工程領域學術學位、材料與化工領域專業學位碩士生導師。

從事相變儲能材料開發、超硬、耐蝕薄膜與涂層材料制備、光電薄膜材料及半導體量子點高性能化、器件化等應用基礎研究工作。主持完成北京市自然科學基金面上項目1項，北京市組織部優秀人才項目1項、北京市教委科技計劃項目1項，主持企業橫向項目3項。以第一作者/通訊作者發表SCI論文50余篇，被引用1400余次（Google Scholar），授權發明專利4件。發表國際會議論文5篇，受邀在第四屆中日等離子體論壇上做邀請報告1次。作為主要完成人獲行業協會科研三等獎1項。參編專著1部、教材1部。

I. 主要研究工作

1. 高性能相變儲能材料

2. 低維光電探測材料制備與性能調控

3. 超硬/耐磨薄膜與涂層材料制備及應用

II. 承擔科研項目

1.        企事業單位橫向項目：融通地產基于相變儲能的建筑供熱技術研究服務，60萬元，項目負責人，2025.1–2025.12。

2.        企事業單位橫向項目：高性能相變材料開發，70萬元，項目負責人，2023.8–2026.8。

3.        企事業單位橫向項目：相變材料及相變儲能組件及設備開發，60萬元，項目負責人，2022.12–2024.12。

4.        企事業單位橫向項目：紅外探測器薄膜制備技術開發，100萬元，項目負責人，2015–2018；

5.        北京市自然科學基金面上項目：脈沖高能量密度等離子體技術合成納米晶PbSe薄膜，11萬元，項目負責人，2011.1–2013.6；

6.        北京市教委科技計劃面上項目：螺桿泵耐磨耐蝕涂層的制備及應用研究， 項目負責人，2011.1–2013.12；

7.        北京市委組織部優秀人才項目：脈沖高能量密度等離子體合成納米晶PbSe薄膜研究，6萬元，項目負責人，2009.1–2010.12。

III. 代表性學術論著

1.        Zhang Xiaoke, Yuan Shiwei, Li Yongqi, Wang Zhongyang, Feng Wenran*. Efficient and green strategy of ultrasound-assisted liquid-phase exfoliation of MoS₂ nanosheets. Langmuir, 2025, 41, 15788?15795.

2.        Gao Dahai, Li Yongqi, Liu Bohong, Liu Yitong, Yuan Shiwei, Wang Zhongyang, Feng Wenran*. PbSe sensitized with iodine and oxygen for high-performance photoelectronic detection. Mater. Sci. Semicond. Process., 2025, 190: 109327.

3.        Feng Wenran*, Zhang Xiaoke, Hong Anni, Lang Haoze, Li Yongqi, Yuan Shiwei, Jiang Lai. One-pot synthesis, sensitization and photoelectric performance of calcium doped PbSe thin films. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 2024, 35: 736.

4.        Gao Yan, Dong Haitao, Zhang Xiaoke, Feng Wenran*. Effects of substrate bias voltage on structural and optical properties of co-sputtered (Al_xGa_1–x)₂O₃ films. J. Electron. Mater., 2023, 52: 7429–7437.

5.        高妍，董海濤，張小可，馮文然*. (Al_xGa_1–x)₂O₃結構、電子和光學性質的第一性原理研究. 人工晶體學報，2023，52 (9): 1674–1719.

6.        Dong Haitao, Gao Yan, Zhang Xiaoke, Li Zhen, Feng Wenran*. In-situ oxygen sensitizing PbSnSe films for high-performance photoelectronic detection. Vacuum, 2023, 207: 111538.

7.        Li Zhen, Chen Yingying, Lang Haoze, Wan Jianghong, Gao Yan, Dong Haitao, Zhang Xiaoke, Feng Wenran*. Pb0.8Sn0.2Se thin films: synthesis, sensitization and properties evolution. c

8.        Feng Wenran*, Li Zhen, Chen Yingying, Chen Jinyang, Lang Haoze, Wan Jianghong, Gao Yan, Dong Haitao. Enhanced photoelectric properties of PbSnSe thin films via quick oxygen ion-implantation sensitization. J. Mater. Sci., 2022, 57 (3): 1881–1889

9.        Feng Wenran*, Song Jiali, Ren Yashuang, Chen Fei, Hu Jifei, Yu Sensen, Zhao Hongchun, Tang Yiyun, Huang Song. Structural and optical evolution in Pb_100–xAg_xSe (x= 3, 6, 9 and 12) thin films by chemical bath deposition J. Alloy. Compd., 770, 649–654 (2019).

10.    Song Jiali, Feng Wenran*, Ren Yashuang, Zheng Danning, Dong Haitao, Zhu Ran, Yi Liya, Hu Jifei. Columnar Te-doped-PbSe thin films on glass for infrared photoelectric detection. Vacuum, 155, 1–6 (2018).

11.    Feng Wenran*, Song Jiali, Ren Yashuang, Yi Liya, Hu Jifei, Zhu Ran, Dong Haitao. Structural, morphological, electrical and optical properties of PbSe thin films sputtered at various pressures. Physica E, 102, 153–159 (2018).

12.    Feng Wenran*, Zhou Hai, Chen Fei. Impact of thickness on crystal structure and optical properties for thermally evaporated PbSe thin films. Vacuum, 114, 82–85 (2015).

13.    Feng Wenran*, Wang Xiaoyang, Chen Fei, Liu Wan, Zhou Hai, Wang Shuo, Li Haoran. Influence of substrate temperature on structural, morphological and electrical properties of PbSe film deposited by radio frequency sputtering. Thin Solid Films, 578, 25–30 (2015).

14.    Feng Wenran*, Wang Xiaoyang, Zhou Hai, Chen Fei. Effects of sputtering power on properties of PbSe nanocrystalline thin films deposited by RF magnetron sputtering. Vacuum, 109, 108–111 (2014).

15.    Feng Wenran*, Zhou Hai, Yang Si-ze. Nano-indentation and wear-resistance behaviors of TiCN films by pulsed plasma, Mater. Sci. Eng., A, 527, 4767–4770 (2010).

16.    Feng Wenran*, Zhou Hai, Yang Si-ze. Gas pressure dependence of composition in Ta–Ti–N films prepared by pulsed high energy density plasma. Mater. Chem. Phys., 124, 287–290 (2010).

17.    Feng Wenran*, Chen Guangliang, Li Li, Lv Guohua, Zhang Xianhui, Niu Erwu, Liu Chizi, Yang Si-ze. Characteristics of (Ti,Ta)N thin films prepared by using pulsed high energy density plasma. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 4228–4233 (2007).

18.    Feng Wenran*, Chen Guangliang, Zhang Yan, Gu Weichao, Zhang Guling, Niu Erwu, Liu Chizi, Yang Si-ze. Preparation of Ta(C)N films by pulsed high energy density plasma. J. Phys. D: Appl. Phys., 2132–2137, 40 (2007).

19.    Feng Wenran*, Liu Chizi, Chen Guangliang, Zhang Guling, Gu Weichao, Niu Erwu, Yang Si-Ze. Titanium carbonitride films on cemented carbide cutting tool prepared by pulsed high energy density plasma. Appl. Surf. Sci., 253, 4923-4927 (2007).

20.    Feng Wenran*, Yan Dianran, He Jining, Zhang Guling, Chen Guangliang, Gu Weichao, Yang Size. Microhardness and toughness of the reactive plasma sprayed TiN coating. Appl. Surf. Sci., 243, 204–213 (2005).

21.    Feng Wenran*, Yan Dianran, He Jining, Li Xiangzhi, Dong Yanchun. Reactive plasma sprayed TiN coating and its tribological properties. Wear, 258, 806–811 (2005).

22.    馮文然*, 閻殿然，何繼寧，陳光良，顧偉超，張谷令，劉赤子，楊思澤.反應等離子噴涂納米TiN涂層的顯微硬度及微觀結構研究. 物理學報，54，2399–2402 (2005).

IV. 發明專利和軟件著作權

1.      馮文然，高妍，張小可，一種偏壓輔助半導體薄膜、制備方法及其應用，中華人民共和國發明專利, ZL 202310361346.3，授權公告日：2023.06.20

2.      馮文然，張小可，李泳祺，苑仕煒，洪安妮，一種大尺寸MoS₂納米片及其制備方法，中華人民共和國發明專利, ZL 202311181060.3，授權公告日：2023.12.19

3.      馮文然，李珍，萬江紅，蔡曉蕓，馬繼楠，一種離子液體修飾量子點的制備方法及其應用，中華人民共和國發明專利, ZL 202111520102.2，授權公告日：2024.02.27

4.      馬繼楠，蔡曉蕓，萬江紅，馮文然，復合相變儲能裝置以及儲能效率自動調節方法，中華人民共和國發明專利, ZL 202111136318.9，授權公告日：2023.12.29

V. 招生信息

本人目前招收材料與化工（0856）專業學位碩士（材料工程領域085601）。誠摯歡迎材料、物理、化學等專業基礎扎實、具有探索精神、具備較強動手能力和富有好奇心的同學加入。

聯系方式：fengwenran@bipt.edu.cn